Bipolartransistor 2SA1386

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 130 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1386 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1386 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SA1386-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA1386-P im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1386-Y im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1386-Transistor könnte nur mit "A1386" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1386 ist der 2SC3519.Sie können den Transistor 2SA1386 durch einen 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.